场效应晶体管
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1925~1926年美国的J.E.里林菲德提出静电场对导电固体中电流影响的基本概念。1933年O.海尔提出薄膜FET 器件的结构模型,在实验中观察到“场效应”现象,但当时由于工艺水平所限,没有做成实用器件。1952年以后,W.B.肖克莱提出结型场效应管(JFET)的基本理论。一年以后制成JFET。60年代初发展了金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET)。1966年美国的C.米德提出了肖特基势垒栅场效应管(MESFET)。 | 1925~1926年美国的J.E.里林菲德提出静电场对导电固体中电流影响的基本概念。1933年O.海尔提出薄膜FET 器件的结构模型,在实验中观察到“场效应”现象,但当时由于工艺水平所限,没有做成实用器件。1952年以后,W.B.肖克莱提出结型场效应管(JFET)的基本理论。一年以后制成JFET。60年代初发展了金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET)。1966年美国的C.米德提出了肖特基势垒栅场效应管(MESFET)。 | ||
- | 与双极型晶体管相比,FET的特点是输入阻抗高,噪声小,极限频率高,功耗小,温度性能好,抗辐照能力强,多功能,制造工艺简单等。由于电荷存储效应小、反向恢复时间短,故开关速度快,工作频率高。器件特性基本呈线性或平方律,故互调和交调乘积远比双极型晶体管为小。FET已广泛用于各种放大电路、数字电路和微波电路等。FET是MOS大规模集成电路和MESFET超高速集成电路的基础器件。 | + | 与双极型晶体管相比,FET的特点是输入阻抗高,噪声小,极限频率高,功耗小,温度性能好,抗辐照能力强,多功能,制造[[工艺]]简单等。由于电荷存储效应小、反向恢复时间短,故开关速度快,工作频率高。器件特性基本呈线性或平方律,故互调和交调乘积远比双极型晶体管为小。FET已广泛用于各种放大电路、数字电路和微波电路等。FET是MOS大规模集成电路和MESFET超高速集成电路的基础器件。 |
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场效应晶体管
field effect transistor
利用场效应原理工作的晶体管,简称FET。场效应就是改变外加垂直于半导体表面上电场的方向或大小,以控制半导体导电层(沟道)中的多数载流子的密度或类型。这种晶体管的工作原理与双极型晶体管不同,它是由电压调制沟道中的电流,其工作电流是由半导体中的多数载流子输运,少数载流子实际上没有作用。这类只有一种极性载流子参加导电的晶体管又称单极晶体管。
1925~1926年美国的J.E.里林菲德提出静电场对导电固体中电流影响的基本概念。1933年O.海尔提出薄膜FET 器件的结构模型,在实验中观察到“场效应”现象,但当时由于工艺水平所限,没有做成实用器件。1952年以后,W.B.肖克莱提出结型场效应管(JFET)的基本理论。一年以后制成JFET。60年代初发展了金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET)。1966年美国的C.米德提出了肖特基势垒栅场效应管(MESFET)。
与双极型晶体管相比,FET的特点是输入阻抗高,噪声小,极限频率高,功耗小,温度性能好,抗辐照能力强,多功能,制造工艺简单等。由于电荷存储效应小、反向恢复时间短,故开关速度快,工作频率高。器件特性基本呈线性或平方律,故互调和交调乘积远比双极型晶体管为小。FET已广泛用于各种放大电路、数字电路和微波电路等。FET是MOS大规模集成电路和MESFET超高速集成电路的基础器件。